技術(shù)編號(hào)：7214591
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及，特別是適用于埋入SOI(Silicon On Insulator)晶體管的背面?zhèn)?、形成絕緣層的半導(dǎo)體裝置的技術(shù)。背景技術(shù) 在SOI(Silicon On Insulator)基板上形成的場效應(yīng)型晶體管，因其元件分離的容易性、閉鎖自由、源/漏接合電容小等優(yōu)點(diǎn)，所以它的有用性引人注目。另外，例如在專利文獻(xiàn)1中，公布了為了在大面積的絕緣膜上，形成結(jié)晶性及均勻性良好的硅薄膜，而使紫外線波束脈沖狀地照射在絕緣膜上形成的非晶質(zhì)或多晶硅層，從而在絕緣膜上形成...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。