技術編號：7214375
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及通過提高溝道的載流子遷移率來實現(xiàn)高速動作的半導體器件。背景技術 在Si系列MOSFET的急速微細化的進程中，對于MOSFET，為了實現(xiàn)高速動作及低功耗，必須提高溝道的載流子遷移率等的電特性。根據(jù)『高木 信一「采用Si/SiGe異質(zhì)結結構的MOS器件技術」應用物理 第72卷 第3號(2003)』及『J-S Lim et al.IEEE Electron Devices Lett.Vol.25 No.11 2004.』，作為為此的MOSFET溝道結構...
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