技術編號：7213349
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及，特別涉及一種半導體器件之間的 相互連接結構及其制作方法。背景技術傳統(tǒng)的半導體存儲器的器件結構例如申請?zhí)枮?3145409的中國專利提供 的存儲器結構，如圖1所示，半導體襯底1上依次形成有柵極介電層2和柵極3， 所述柵極介電層2為二氧化硅或者氧化硅-氮化硅-氧化硅層等，所述柵極3 為多晶硅層。柵極介電層2以及柵極3的兩側具有間隙壁(spacer ) 5 ，間隙壁5 的材料為二氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅等，在間隙壁5兩側的半導體襯底1 內形成有源漏...
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