技術(shù)編號：7212768
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及高密度存儲器器件，其基于以相變?yōu)榛A(chǔ)的存儲器材料，包括以硫?qū)倩?chalcogenide)為基礎(chǔ)的材料以及其它材料，及制造這種器件的方法，并尤其涉及相變存儲器元件，其包括有較低電流以及更佳的熱控制特征。背景技術(shù) 以相變?yōu)榛A(chǔ)的存儲器材料廣泛地運(yùn)用于非易失性隨機(jī)存取存儲器單元中。如硫?qū)倩锛邦愃撇牧系倪@些材料，可通過施加其幅度適用于集成電路中的電流，而致使晶相在非晶態(tài)(amorphous state)與結(jié)晶態(tài)(crystalline state)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。