技術(shù)編號(hào)：7212761
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種，具體地，涉及一種用于制造具有溝槽柵極(trench-gate)晶體管和平面晶體管的半導(dǎo)體器件。背景技術(shù) DRAM(Dynamic Random Access Memory，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)單元近來的小型化，伴隨著存儲(chǔ)器單元晶體管的柵極長度的縮短。然而，晶體管中的短溝效應(yīng)(short channel effect)由于柵極長度的縮短而變得更加嚴(yán)重，并且出現(xiàn)由于子閾值電流增加引起的缺點(diǎn)。當(dāng)增加襯底摻雜濃度以便使該效應(yīng)最小化時(shí)，由于增加的連接...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。