技術(shù)編號(hào)：7212726
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一般地涉及電子設(shè)備，更特別地，涉及制作半導(dǎo)體器件的方法及其結(jié)構(gòu)。背景技術(shù) 過(guò)去，半導(dǎo)體工業(yè)利用各種方法和結(jié)構(gòu)制作應(yīng)用溝槽的半導(dǎo)體器件，該溝槽采用如二氧化硅的絕緣體作為襯里。這些加襯的溝槽(linedtrenches)具有各種各樣的應(yīng)用，諸如為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)形成柵極絕緣體。一種特別的應(yīng)用是用來(lái)形成功率MOS晶體管的柵極。這種MOS晶體管有時(shí)稱作溝槽FET或TFET。一種制作加襯的溝槽的方法使用兩個(gè)不同的工藝步驟來(lái)形成絕...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。