技術(shù)編號(hào)：7212725
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置、尤其是使用了增幅型MOS傳感器的固體成像裝置及其制造方法。背景技術(shù) 在半導(dǎo)體裝置的元件分離中，尤其是在使用0.25μm以下的微細(xì)圖案技術(shù)來(lái)構(gòu)成元件的情況下，使用STI(淺溝槽隔離)結(jié)構(gòu)。此外，近年來(lái)，即使在使用了增幅型MOS傳感器的固體成像裝置中，微細(xì)單元化也正在發(fā)展，變成采用0.25μm以下的微細(xì)圖案技術(shù)，即采用STI結(jié)構(gòu)的元件分離。以下，對(duì)安裝了增幅型MOS傳感器的固體成像裝置進(jìn)行說(shuō)明。使用了增幅型MOS傳感器的固體成像裝置是通過(guò)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。