技術(shù)編號：7211706
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。,多層互連結(jié)構(gòu)及制法,半導(dǎo)體器件及制法的制作方法本發(fā)明涉及一種可靠的、高效的用于還原氧化金屬的方法；一種具有降低的互連電阻的多層互連結(jié)構(gòu)，其中用該方法能降低互連之間的寄生電容，及其高效的制造方法；以及具有多層互連結(jié)構(gòu)的高速、高可靠性半導(dǎo)體器件，及其高效的制造方法。特別地，本發(fā)明涉及一種在半導(dǎo)體集成電路的多層互連結(jié)構(gòu)的形成過程中，高效、可靠、低成本地還原銅氧化物以還原銅互連的方法。背景技術(shù) 隨著半導(dǎo)體集成電路的集成規(guī)模和芯片密度的增大，尤其對提供半導(dǎo)體芯片的...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。