技術(shù)編號(hào)：7210723
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是有關(guān)于一種薄膜電晶體及其制造方法，特別是有關(guān)于一種SRAM用的雙垂直通道薄膜電晶體(Doubele Vertical Channel Thin FilmTransistor，DVC TFT)及其制造方法。由于單位組件容量增加時(shí)，芯片中的持機(jī)電流也會(huì)隨著增加，故小的OFF電流就變得愈來愈重要，所以在傳統(tǒng)TFT的制程中，常使用雙閘極(dualgate)、LDD結(jié)構(gòu)以及氫化制程等方法來降低OFF電流。然而，上述方法雖可降低多晶硅TFT的OFF電流，但仍存...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。