技術(shù)編號(hào)：7209972
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及具備由用鐵電體膜(ferroelectric film)構(gòu)成柵極絕緣膜的場(chǎng)效應(yīng)晶體管形成的存儲(chǔ)器元件的半導(dǎo)體存儲(chǔ)單元、以及將半導(dǎo)體存儲(chǔ)單元排列為陣列狀的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。背景技術(shù)對(duì)于采用了鐵電體的非易失性存儲(chǔ)器，大體上分為電容型、和用鐵電體膜構(gòu)成柵極絕緣膜的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor FET)型這兩種。電容型具有與動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Dynamic Random Access Memory DRAM)相類似的構(gòu)造，...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。