技術(shù)編號(hào)：7208803
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及能夠用于存儲(chǔ)器存儲(chǔ)和可控電路互連的具有可調(diào)電阻的兩端非易失性固態(tài)電阻器件。背景技術(shù)電阻性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RRAM)作為超高密度非易失性信息存儲(chǔ)裝置的潛在候選物最近已經(jīng)產(chǎn)生重要的影響。典型的RRAM器件包括夾在一對(duì)電極之間的絕緣體層并且展現(xiàn)電脈沖感應(yīng)滯后電阻變換效應(yīng)。通過(guò)由于焦耳熱和二元氧化物(例如NiO和TiO2)中的電化學(xué)過(guò)程或離子導(dǎo)體(包括氧化物、硫族化物和聚合物)的氧化還原過(guò)程而在絕緣體內(nèi)形成導(dǎo)電細(xì)絲來(lái)解釋所述電阻變換。也已經(jīng)通過(guò)TiO2和...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。