技術(shù)編號(hào)：7208593
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。在金屬襯底上的半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)中具有應(yīng)變溝道的功率MOSFET本申請(qǐng)要求2008年9月四日提交的申請(qǐng)?zhí)枮?1/101，116的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)的權(quán)益，其全部?jī)?nèi)容為了所有目的而通過(guò)引用結(jié)合于此。背景技術(shù)本發(fā)明通常涉及功率晶體管，且更具體地涉及在金屬襯底上的半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)中具有應(yīng)變半導(dǎo)體溝道區(qū)的金屬氧化物半導(dǎo)體柵控(M0S-柵控)功率晶體管。傳統(tǒng)的半導(dǎo)體制造利用許多工藝來(lái)在襯底上形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。在某些器件中，用襯底作為導(dǎo)電路徑的一部分。例如，襯底通過(guò)固態(tài)開(kāi)關(guān)起重要作...
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