技術(shù)編號：7204816
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及。尤其涉及用于高耐壓、大電流的由碳化硅 構(gòu)成的功率半導體器件。背景技術(shù)碳化硅(silicon carbide SiC)是與硅(Si)相比能帶隙大的高硬度的半導體材 料，可應(yīng)用于功率元件、抗環(huán)境元件、高溫動作元件、高頻元件等各種半導體裝置。其中，關(guān) 注對開關(guān)元件及整流元件等功率元件的應(yīng)用。采用SiC的功率元件與Si功率元件相比，具 有能顯著降低功率損失等的優(yōu)點。在采用SiC的功率元件中有代表性的開關(guān)元件是M0SFET。在這樣的開關(guān)元件中， 可利用對...
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