技術(shù)編號：7181737
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及能夠以電的方式進行數(shù)據(jù)的寫入/擦除的非易失性半導(dǎo)體存儲裝置， 尤其涉及具有層積柵結(jié)構(gòu)的非易失性半導(dǎo)體存儲裝置。背景技術(shù)—般在MOS型半導(dǎo)體器件的制造工序中，在剛剛進行完柵電極加工后，在柵電極 的側(cè)壁部分露出作為電極材料的多晶硅，另外柵氧化膜的柵電極的加工部附近受到加工時 的損傷。因此，需要基于后氧化的損傷恢復(fù)和基于絕緣膜的柵電極的覆蓋。尤其在具有層 積柵結(jié)構(gòu)的非易失性存儲器的情況下，由于在浮置柵電極中保持電荷，所以浮置柵電極的 角部附近的柵氧化膜...
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