技術(shù)編號(hào):7180912
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一般地涉及集成電路器件,更具體地涉及金屬氧化物半導(dǎo)體(M0S)晶體管 及其形成方法。背景技術(shù)金屬氧化物半導(dǎo)體(M0S)晶體管的速度與M0S晶體管的驅(qū)動(dòng)電流密切相關(guān),驅(qū)動(dòng) 電流與電荷的遷移率進(jìn)一步密切相關(guān)。例如,NM0S晶體管在它們的溝道區(qū)中的電子遷移率 高時(shí)具有高的驅(qū)動(dòng)電流,同時(shí)PM0S晶體管在它們的溝道區(qū)中的空穴遷移率高時(shí)具有高的 驅(qū)動(dòng)電流。鍺是常用的半導(dǎo)體材料。鍺的電子遷移率和空穴遷移率大于硅,而后者是集成電 路形成中主要常用的半導(dǎo)體材料。因此,...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。