技術(shù)編號：7180782
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)，更特別地，涉及，其中形成的微型孔圖案的尺寸比允許的分辨率更小。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體器件變得高度集成及高效率，半導(dǎo)體工業(yè)正在快速發(fā)展。這樣的快速發(fā)展進(jìn)而增加了對半導(dǎo)體器件的大規(guī)模集成及效率的需求。 半導(dǎo)體器件的制造包括重復(fù)實施沉積工藝、離子注入工藝、光工藝、蝕刻工藝及清洗工藝，以在半導(dǎo)體襯底上及某些材料層上形成期望的電路圖案。因此，當(dāng)對每一工藝提供充分水平的技術(shù)時，可以實現(xiàn)大規(guī)模集成及效率。 蝕刻工藝是在形成具有相對滿意蝕刻輪廓的亞微米電...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。