技術(shù)編號(hào):7180333
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及薄膜磁性體存儲(chǔ)器,更特定地說(shuō),涉及具有含磁隧道結(jié)(MTJ)的存儲(chǔ)單元的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。作為能以低功耗進(jìn)行非易失性的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的存儲(chǔ)器,MRAM(磁隨機(jī)存儲(chǔ)器)器件正引人注目。MRAM器件是利用在半導(dǎo)體集成電路中形成的多個(gè)薄膜磁性體進(jìn)行非易失性的數(shù)據(jù)存儲(chǔ),可以對(duì)每個(gè)薄膜磁性體進(jìn)行隨機(jī)存取的存儲(chǔ)器。特別是,近年來(lái)已發(fā)表了借助于將利用磁隧道結(jié)的薄膜磁性體用作存儲(chǔ)單元,MRAM器件的性能得到飛速進(jìn)步的情況。關(guān)于具有含磁隧道結(jié)的存儲(chǔ)單元的MRAM器件,已在“...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。