技術(shù)編號:7180315
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種包括MONOS型非易失性存儲裝置的。背景技術(shù) 作為非易失性半導(dǎo)體存儲裝置的一種類型,有一種在溝道區(qū)域與控制柵之間的柵絕緣層由氧化硅層和氮化硅層的疊層體構(gòu)成、在所述氮化硅層上電荷被俘獲的被稱之為MONOS(Metal Oxide Nitride OxideSemiconductor)型或SONOS(Silicon Oxide nitride Oxide Silicon)型的半導(dǎo)體存儲裝置。作為MONOS型的非易失性半導(dǎo)體裝置已公開了一種如圖16...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。