技術(shù)編號：7180273
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種。 背景技術(shù)電容器可以用于在諸如動態(tài)隨機(jī)存儲器(DRAM)的存儲器件內(nèi)儲存預(yù) 定數(shù)據(jù)。所述電容器包括被稱為儲存節(jié)點(diǎn)和板節(jié)點(diǎn)(platenode)的電容器電 極和插入電容器電極之間的介電層。近來，由于半導(dǎo)體儲存器件的集成程度越來越高，使得半導(dǎo)體儲存器件 中儲存電池的芯片面積減少，半導(dǎo)體儲存器件的工作電壓降低_?；诖耍?使在電容器的設(shè)計(jì)面積減少的情況下，也必須使作為半導(dǎo)體存儲器件的組件 之一的電容器具有半導(dǎo)體存儲器件工作所必需的電荷量。如果電...
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