技術(shù)編號：7180168
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種LDMOSdaterally diffused M0S，橫向擴散MOS晶體管)器件。 背景技術(shù)請參閱圖1，這是現(xiàn)有的LDMOS的剖面示意圖。在ρ型襯底10上具有η型埋層11， 再往上則是η阱12。η阱12的深度通常大于2 μ m,也稱為深η阱。η阱12中有多個隔離 區(qū)13，這些隔離區(qū)13將η阱12中的η阱171和ρ阱172相互隔離。η阱171中具有η型 重摻雜區(qū)181，作為LDMOS器件的漏極。ρ阱172中具有η型重摻雜區(qū)182和ρ型重摻雜區(qū)...
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