技術(shù)編號(hào)：7178157
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及在升高的溫度下進(jìn)行注入的方法，該方法用于在硅基片上無定形化的Si1-xGex層的重結(jié)晶，例如用于高速CMOS集成電路設(shè)備的制造方法，具體而言，涉及在升高的溫度下制造SiGe膜的方法，該方法在松弛的Si1-xGex層上提供張力應(yīng)變的硅，以提高nMOS和pMOS晶體管的轉(zhuǎn)換速度。有很多出版物描述了具有分級(jí)Ge組成(x)的厚Si1-xGex層，接著是恒量x的厚松弛的Si1-xGex層，其在拉伸應(yīng)變下被薄的硅膜覆蓋，其用于制造高排泄驅(qū)動(dòng)電流MOS晶體管。...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。