技術(shù)編號：7174701
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明是有關(guān)于一種半導體器件的制造方法，且特別是有關(guān)于一種具有縮小間距的晶體管器件的制造方法。而晶體管的柵極導電物是利用公知的微影技術(shù)定義出的。通常光阻膜，其例如是先將一光阻旋涂至多晶硅材料上，之后利用投射光線(典型的是紫外光)穿透光罩上透光區(qū)域，以將影像轉(zhuǎn)移至至光阻上。之后利用光化學反應(yīng)改變光阻層被曝光的區(qū)域的溶解度，再利用溶劑，諸如顯影液清洗光阻，以移除其高溶解度的區(qū)域，然后再烘烤保留下來的光阻。而這些保留下來的光阻將具有高的抗蝕刻能力，而能移除多晶硅...
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