技術(shù)編號(hào)：7172705
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及一種圓片級(jí)芯片尺寸封裝結(jié)構(gòu)。屬于半導(dǎo)體封裝。 背景技術(shù)MOSFET (金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管)是利用電場(chǎng)效應(yīng)來控制半導(dǎo)體的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。由于MOSFET具有可實(shí)現(xiàn)低功耗電壓控制的特性，近年來受到越來越多的關(guān)注。 MOSFET性能特別是電流承載能力的優(yōu)劣很大程度上取決于散熱性能，散熱性能的好壞又主要取決于封裝形式。然而傳統(tǒng)MOSFET封裝主要是TO、SOT、SOP、QFN、QFP等形式，這類封裝都是將芯片包裹在塑封體內(nèi)，無(wú)法將芯片工作時(shí)產(chǎn)生的...
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