技術(shù)編號(hào)：7169662
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工藝，具體而言涉及一種形成E狀鍺硅層的制作方法。背景技術(shù)在先進(jìn)半導(dǎo)體器件的制造工藝中，嵌入式鍺硅工藝可以明顯增強(qiáng)PMOS的性能。當(dāng)前，形成嵌入式鍺硅的工藝順序有兩種一種是先形成嵌入式鍺硅，然后在柵極的兩側(cè)形成側(cè)壁體；另一種是先在柵極的兩側(cè)形成側(cè)壁體，然后形成嵌入式鍺硅。為了獲得更大的工藝窗口和更好的電學(xué)性能，通常采用上述工藝順序中的后一種來(lái)形成嵌入式鍺硅。在嵌入式鍺硅工藝中，通常在PMOS的源/漏區(qū)形成E狀凹槽以用于在其中選擇性外延生長(zhǎng)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。