技術(shù)編號：7168464
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工藝，尤其涉及一種制作懸浮納米線溝道型MOSFET的方法。背景技術(shù)目前,懸浮納米線溝道型(Suspended Nanowire Channel)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor, M0SFET)由于其能耗較低而受到越來越多的關(guān)注，尤其在未來縮小至納米量級的集成電路中將會得到廣泛應(yīng)用。圖1為現(xiàn)有的懸浮納米線溝道型MOSFET的示意圖。如圖1所示...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。