技術(shù)編號(hào)：7166885
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及具有外延區(qū)的器件及其制造方法。背景技術(shù)片上系統(tǒng)(SOC)應(yīng)用常常需要將CMOS器件與諸如雙極結(jié)型晶體管(BJT)和整流器的器件制造在相同的晶圓上。這類器件中的每一種都具有獨(dú)特的性能約束和權(quán)衡。雖然期望同時(shí)以及通常采用相同的工藝步驟來制造這些器件，但改進(jìn)一種類型器件如CMOS晶體管的性能的步驟可能導(dǎo)致其它器件如BJT的性能下降。因此所需要的是制造對(duì)于不同類型的器件都具有改進(jìn)的性能的結(jié)構(gòu)和方法。發(fā)明內(nèi)容為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。