技術(shù)編號：7166438
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明一般涉及一種無電容式(Capacitorless)動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)制備方法，尤其涉及一種基于硅-鍺硅異質(zhì)結(jié)的單晶體管動態(tài)隨機存取存儲器(IT-DRAM)單元結(jié)構(gòu)及其制備方法。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體集成電路器件特征尺寸的不斷縮小，對于傳統(tǒng)的單晶體管/單電容(1T/1C)嵌入式(embedded)DRAM單元而言，其電容一般包括堆疊式電容(stack capacitor)或者深溝槽式電容(de印-trench capacitor)等，為了獲得足...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。