技術(shù)編號：7166401
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及基于包括離子源層和電阻變化層的存儲層的任何電特性變化來存儲信息的存儲元件和存儲裝置。背景技術(shù)在諸如計算機等信息設備中廣泛使用的RAM(隨機存取存儲器)是高速運行且具有高密度的DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)。然而，DRAM由于相對電子設備中通常使用的邏輯電路LSI (大規(guī)模集成電路)或信號處理電路具有復雜的制造工藝而成本較高。此外， DRAM需要頻繁地刷新操作(即，用于讀取任何寫入信息，并再次放大該信息以重新對其進行寫入的操作)。另外，作為在停止供...
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