技術(shù)編號：7165792
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制備，更確切的說，本發(fā)明涉及一種用于提高半導(dǎo)體器件性能的硅化物阻止層刻蝕方法、以及采用了該硅化物阻止層刻蝕方法的通孔刻蝕停止層形成方法、以及由此制成的CMOS器件。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體相關(guān)制造工藝的發(fā)展以及集成電路芯片按照比例尺寸縮小的趨勢，應(yīng)力工程在半導(dǎo)體工藝和半導(dǎo)體器件性能方面所起的作用越來越明顯，應(yīng)力工程廣泛適應(yīng)于改進(jìn)晶體管載流子遷移率的半導(dǎo)體器件上，尤其在一些特殊的芯片類型上，如互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS, Complementa...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。