技術(shù)編號(hào)：7164573
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及用于制造高電壓晶體管的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)和工藝。 背景技術(shù)在半導(dǎo)體領(lǐng)域中高電壓場(chǎng)效應(yīng)晶體管(HVFET)已是公知的。很多HVFET采用的器件結(jié)構(gòu)包括延伸的漏極區(qū)，當(dāng)器件處于“截止”狀態(tài)時(shí)，該延伸的漏極區(qū)支持或阻斷所施加的高電壓(例如幾百伏)。在常規(guī)的垂直HVFET結(jié)構(gòu)中，半導(dǎo)體材料的臺(tái)或柱形成用于導(dǎo)通狀態(tài)中的電流的延伸的漏極或漂移區(qū)。在襯底頂部附近、與臺(tái)的側(cè)壁區(qū)域相鄰地形成溝槽柵極結(jié)構(gòu)，在臺(tái)處將本體區(qū)設(shè)置在延伸的漏極區(qū)上方。向柵極施加適當(dāng)?shù)碾妷弘妱?shì)沿...
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