技術(shù)編號：7163832
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明大體上涉及的是集成電路，而更具體地涉及的是多晶硅柵扱。背景技術(shù)多晶硅被廣泛地用于集成電路，其在金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和互補(bǔ)金屬-氧化物-半導(dǎo)體(CMOS)處理技術(shù)中作為導(dǎo)電的柵極材料。多晶硅柵極通常重?fù)诫s有η-型或P-型的摻雜材料。然而，在具有ニ氧化硅(SiO2)柵極介電層的多晶硅柵極結(jié)構(gòu)中，多晶硅摻雜材料(例如，用于P+多晶硅柵極的硼)擴(kuò)散穿過SiO2層并且進(jìn)入到SiO2層下方的襯底的溝道區(qū)域中。這導(dǎo)致了多晶硅的消耗，從而...
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