技術(shù)編號：7163720
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體設(shè)計與制造領(lǐng)域，更具體地說，本發(fā)明涉及一種改善MOS晶體管擊穿電壓的方法、以及采用了該改善MOS晶體管擊穿電壓的方法的MOS晶體管制造方法。背景技術(shù)MOS (金屬氧化物半導(dǎo)體)器件中，擊穿電壓Bv (Breakdown Voltage)是影響器件尤其是高壓器件應(yīng)用的關(guān)鍵特性。另一方面，在MOS器件中，柵極與漏極壓差的增加而明顯增加漏電的這一現(xiàn)象即為柵極感應(yīng)漏極漏電(也稱為柵致漏極泄漏電流，Gate-induced DrainLeakage，...
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