技術(shù)編號:7161811
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種,更具體地說涉及一種具有穿透電極的。背景技術(shù)目前,電子工業(yè)的趨勢是以低廉的價格來制造輕量化、小型化、高速化、多功能化、 以及高性能化的產(chǎn)品。為了實現(xiàn)該目標(biāo),使用多芯片堆疊封裝技術(shù)或者系統(tǒng)級封裝技術(shù)。 多芯片堆疊封裝技術(shù)或者系統(tǒng)級封裝技術(shù)使用穿透電極(硅穿孔電極或者硅貫通電極, through silicon via) 0多芯片堆疊封裝或者系統(tǒng)級封裝可以在一個半導(dǎo)體封裝件中執(zhí)行多個單元的半導(dǎo)體器件的功能。多芯片堆疊封裝或者系統(tǒng)級封裝與普通的單芯...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。