技術(shù)編號(hào)：7161297
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。此處所討論的實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體器件。 背景技術(shù)傳統(tǒng)上，已知所謂橫向雙擴(kuò)散場(chǎng)效應(yīng)晶體管是能在施加相對(duì)高的電壓時(shí)進(jìn)行操作的晶體管之一。關(guān)于橫向雙擴(kuò)散場(chǎng)效應(yīng)晶體管，例如，在ρ-型襯底中形成η-阱擴(kuò)散層，在η-阱擴(kuò)散層中形成P-體擴(kuò)散層，以及在η-阱擴(kuò)散層和P-體擴(kuò)散層中分別形成漏極擴(kuò)散層和源極擴(kuò)散層。此外，在漏極擴(kuò)散層和源極擴(kuò)散層之間的P-型襯底上方以及η-阱擴(kuò)散層和P-體擴(kuò)散層上方形成柵電極。關(guān)于這種橫向雙擴(kuò)散場(chǎng)效應(yīng)晶體管，用于調(diào)整P-體擴(kuò)散層和漏極擴(kuò)散層之...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。