技術(shù)編號：7161191
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置。 背景技術(shù)功率MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)除了用于大電流、高耐壓的開關(guān)電源市場以外，在以筆記本式個人計算機(jī)為首的移動通信設(shè)備等節(jié)省能源用開關(guān)市場也使用。由于功率MOSFET使用于功率管理電路、鋰離子電池的安全電路等，因此推進(jìn)了低電壓驅(qū)動化、低導(dǎo)通電阻化。為了降低導(dǎo)通電阻，有不僅在半導(dǎo)體基板的主面而且在半導(dǎo)體基板的垂...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。