技術(shù)編號：7160414
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及具有浮柵和耦合柵的非易失性存儲器單元，其中浮柵與耦合柵之間的耦合比增加。背景技術(shù)具有其上存儲電荷的浮柵的非易失性存儲器單元是本領(lǐng)域眾所周知的。參照圖1，示出現(xiàn)有技術(shù)的非易失性存儲器單元10的截面圖。存儲器單元10包括第一導(dǎo)電類型、如P型的半導(dǎo)體襯底12。在襯底12的表面處或附近是第二導(dǎo)電類型、如N型的第一區(qū)域14。與第一區(qū)域14間隔開的是也為第二導(dǎo)電類型的第二區(qū)域16。在第一區(qū)域14與第二區(qū)域16之間是溝道區(qū)18。由多晶硅制成的字線20定位在溝道...
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