技術(shù)編號：7160161
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件以及半導(dǎo)體工藝，尤其涉及一種JFET晶體管及其形成方法。背景技術(shù)在B⑶工藝中，集成的結(jié)型場效應(yīng)(JFET)晶體管是非常重要的一類器件，其漏極可以直接連接到經(jīng)過整流濾波轉(zhuǎn)換的電網(wǎng)電源上，在高壓芯片(HVIC)產(chǎn)品中可用于構(gòu)成通用的啟動(dòng)(start-up)電路或恒流源模塊，對于電源小型化有著非常重要的意義?，F(xiàn)有技術(shù)中常規(guī)的JFET晶體管中，由于高擊穿耐壓的要求，漏極一端通常都會(huì)有較長的低濃度的漂移區(qū)結(jié)構(gòu)，但是低濃度的漂移區(qū)結(jié)構(gòu)在導(dǎo)通時(shí)漂移區(qū)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲(chǔ)備，不適合論文引用。