技術(shù)編號(hào)：7160067
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體集成電路制造工藝方法，特別是涉及一種在CMOS源漏摻雜時(shí)進(jìn)行多晶硅柵注入的方法。背景技術(shù)在CMOS制造工藝中，一些工藝的多晶硅柵上需要淀積氮化硅，而在現(xiàn)有CMOS制造工藝的SRAM工藝中，柵氧化層上面還需要有金屬連線，所以在此現(xiàn)有SRAM工藝流程中， 與現(xiàn)有CMOS制造工藝中的其它工藝不同的是，在多晶硅柵淀積的后，需要先淀積一層硅化鎢，再淀積一層氮化硅。在所述多晶硅柵上形成有硅化鎢后，會(huì)對(duì)多晶硅柵的摻雜產(chǎn)生不利影響，具體為1、如果采用現(xiàn)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。