技術(shù)編號：7159744
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的示例性實施例涉及ー種，更具體而言，涉及ー種具有層疊多個存儲器単元的三維(3D)結(jié)構(gòu)的。背景技術(shù)非易失性存儲器件即使在電源被切斷時仍保留儲存在其中的數(shù)據(jù)。這里，存在多種非易失性存儲器件，例如NAND型快閃存儲器件。 在提高非易失性存儲器件的集成度方面，在半導(dǎo)體襯底之上將存儲器單元形成在單個層中的ニ維(2D)結(jié)構(gòu)已達(dá)到了物理極限。因此，開發(fā)了具有沿著垂直于半導(dǎo)體襯底所形成的柱狀溝道而形成多個存儲器単元的三維(3D)結(jié)構(gòu)的非易失性存儲器件。為了進(jìn)一步提高...
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