技術編號：7158358
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體器件制造，更具體地說，涉及具有局部的極薄絕緣體上硅溝道區(qū)的半導體器件。背景技術與更常規(guī)的半導體器件相比，絕緣體上半導體(S0I， Semiconductor-on-insulator)器件，比如絕緣體上硅器件(本領域中也簡寫為S0I)帶來若干優(yōu)點。例如，與執(zhí)行相似任務的其它各種器件相比，SOI器件具有較低的功耗要求。SOI 器件還具有比非SOI器件低的寄生電容。這轉化為最終得到的電路的更快開關時間。另外， 當利用SOI制備工藝來制造電路器件...
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