技術(shù)編號(hào)：7149709
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，具體地說，涉及一種抗總劑量輻射的。背景技術(shù)近半個(gè)多世紀(jì)以來，集成電路行業(yè)的迅猛發(fā)展為信息時(shí)代的來臨提供了硬件上的保障，其應(yīng)用滲透到了社會(huì)的各個(gè)方面，包括具有惡劣環(huán)境的航空航天、軍事、核電等領(lǐng)域。在這些環(huán)境下，集成電路器件可能受到各種粒子的輻射效應(yīng)，導(dǎo)致性能的退化，工作狀態(tài)的波動(dòng)或翻轉(zhuǎn)甚至元器件的物理破壞。眾所周知，金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)是集成電路領(lǐng)域的重要元器件，具有高速、高集成度、低成本、低功耗等眾多優(yōu)...
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