技術(shù)編號：7149705
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體存儲器件。更詳細(xì)地說，涉及由具有將電荷量的變化轉(zhuǎn)換成電流量的功能的場效應(yīng)晶體管構(gòu)成的半導(dǎo)體存儲器件。背景技術(shù) 迄今，作為能夠用一個場效應(yīng)晶體管存儲2位的非易失性存儲器有Saifun Semiconductors Ltd開發(fā)的存儲器(特表2001-512290號公報)。如圖21所示，該存儲器由通過柵絕緣膜在P型阱區(qū)901上形成的柵電極909、在P型阱區(qū)901表面上形成的第1N型擴散層區(qū)902及第2N型擴散層區(qū)903構(gòu)成。柵絕緣膜由氮化硅膜90...
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