技術編號：7148451
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種。背景技術雙極晶體管的基極電阻Rb和集電極-基極電容CB。一直是制約器件高頻性能進一步提高的主要寄生參數，其對器件高頻性能指標的影響可用如下簡化的表達式描述。fmax =J~~其中，fT和fmax分別表示器件的截止頻率和最高振蕩頻率。 此外，Rb還是雙極晶體管熱噪聲的主要來源。因此，為了提高器件的高頻性能和改善器件的噪聲性能，減小Rb和CB。一直是雙極晶體管器件與工藝優(yōu)化的重要任務。采用單晶發(fā)射區(qū)-外基區(qū)自對準結構，即保證器件重摻雜外基區(qū)與單...
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