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一種小尺寸線端間距的形成方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):7146847

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本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路制造領(lǐng)域,尤其涉及。 背景技術(shù)在半導(dǎo)體光刻工藝中,由于掩膜版線端和拐角處光線衍射效應(yīng)的影響,光刻后光刻膠線端將變圓和縮短,這一現(xiàn)象稱為光刻的線端效應(yīng)。隨著半導(dǎo)體特征尺寸的不斷縮小,線端效應(yīng)越發(fā)明顯,其對(duì)半導(dǎo)體電路性能的影響也日益加大。目前,在形成小尺寸線端間距時(shí),為避免線端效應(yīng),尤其對(duì)于多晶硅柵,常通過(guò)兩次光刻的方法。即第一次光刻刻蝕形成固定線寬/間距的周期圖形,再通過(guò)第二次光刻對(duì)第一次光刻圖形進(jìn)行選擇性去除。其中,第二次光刻圖形的...
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