技術編號：7146150
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。具有三維布置的阻性存儲器單元的半導體存儲器件相關申請的交叉引用本申請要求2011年11月25日提交的韓國專利申請N0.10-2011-0124204的優(yōu)先權，其所有內(nèi)容通過引用并入本文。本發(fā)明思想的示例實施例涉及半導體存儲器件，并且更具體地涉及具有三維布置的阻性存儲器單元的半導體存儲器件。背景技術三維集成電路(3D-1C)存儲器技術可以用于增大存儲器容量。3D-1C存儲器技術通常指關于三維地布置存儲器單元的技術。除了 3D-1C存儲器技術外，還可以通過(I...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
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