技術(shù)編號：7143852
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及用于通用計(jì)算機(jī)應(yīng)用的存儲裝置，更具體地說，涉及用于通用計(jì)算機(jī)應(yīng)用的磁隨機(jī)存取存儲器面積效率比的提高。背景技術(shù) 磁隨機(jī)存取存儲器(MRAM)可以用來存儲以二進(jìn)制表示的形式編碼為一位或多位的信息，供隨后檢索和使用。盡管諸如閃存、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)等傳統(tǒng)的存儲技術(shù)利用存儲的電荷或觸發(fā)器來存儲信息，但是MRAM可以利用磁化來指示存儲的“1”或存儲的“0”的存在。兩種主要類型的單元結(jié)構(gòu)可以用來實(shí)現(xiàn)MRAM，電阻交...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。