技術(shù)編號(hào)：7142931
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件以及用于制造該半導(dǎo)體器件的制造方法，更加具體來(lái)說，涉及一種包括具有控制柵極和浮置柵極的晶體管的半導(dǎo)體器件，以及用于制造該半導(dǎo)體器件的制造方法。背景技術(shù) 一種典型的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器被稱為DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。DRAM是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，其在包括一個(gè)MISFET和一個(gè)電容器的存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)1位信息。DRAM具有日益小型化和增加的容量的存儲(chǔ)單元。但是，期望獲得具有更大的容量的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。作為一種可以具有更大容量的半導(dǎo)體器件，閃存(...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。