技術(shù)編號(hào)：7140187
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件以及制造該器件的方法；并且更具體的涉及在布線層上形成假圖形的半導(dǎo)體器件以及制造該器件的方法。背景技術(shù) 在制造帶有多個(gè)互連層的半導(dǎo)體器件的傳統(tǒng)方法中，當(dāng)采用其中使用金屬填充溝道來形成布線層的方法時(shí)，使用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)來清除除了已經(jīng)嵌入在溝道中以外的不必要的金屬。在這種情況下，已經(jīng)在晶片上不均勻地形成的布線圖將會(huì)引起拋光速度的變化。并且應(yīng)該要有一個(gè)措施來限制最后形成的線的薄膜厚度變化。為了這個(gè)目的，傳統(tǒng)采用的一個(gè)方法是把假圖形排列在...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。