技術(shù)編號(hào)：7138042
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及了一種半導(dǎo)體器件，更具體地說(shuō)，涉及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)及其制造方法。背景技術(shù) 由于半導(dǎo)體器件制造技術(shù)的發(fā)展和對(duì)存儲(chǔ)器件的應(yīng)用的擴(kuò)大，需要有大容量的存儲(chǔ)器件。特別地，其存儲(chǔ)單元由一個(gè)電容器和一個(gè)晶體管組成的DRAM器件的集成密度已得到很大的改進(jìn)。由于半導(dǎo)體器件集成密度的提高，連接一個(gè)元件至另一元件或連接一層至另一層的接觸孔的尺寸下降了，但是層間介電層的厚的卻變厚了。因此，在光刻工序中，接觸孔的縱橫比(即高度和直徑的比例)變大了且接觸孔的對(duì)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。