技術(shù)編號(hào)：7128172
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及集成電路裝置和半導(dǎo)體裝置，更具體地，涉及包括電容器的集成電路裝置和半導(dǎo)體裝置，以及制造這種集成電路裝置的方法。背景技術(shù) 由于集成電路裝置集成密度不斷增加，在傳統(tǒng)的金屬-絕緣體-半導(dǎo)體(MIS)電容器更加難以獲得理想的電容，例如，由于低介電系數(shù)層形成在介電層和硅層之間。MIS電容器的一個(gè)可供選擇是金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器。圖1是一剖面圖，示出了包括連接到晶體管的傳統(tǒng)MIM電容器的檢測電路(半導(dǎo)體)裝置。如圖1所示，第一晶體管包括形成在集成...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。